陈蓉 教授

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2014-09-11 22:09:10 作者: 所属分类:教师 阅读:726

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一、个人基本情况

陈蓉,女,1978年8月出生。教授,博导。中国科学技术大学获得学士学位,美国斯坦福大学(Stanford)硕士、博士学位。曾在美国应用材料公司及英特尔研究院担任高级技术职务。中组部首批“青年千人计划”入选者,教育部“新世纪人才支持计划”获得者,973青年项目首席科学家。 担任国家973国家重大科学研究计划--青年科学家专题项目首席科学家,主持国家自然科学基金项目。围绕着原子层沉积、纳米颗粒制备、薄膜工艺与设备开发,承担了多项新能源与微电子相关项目的研究,是选择性原子层沉积技术的先驱者之一。获美国半导体研究协会Simon Karecki奖、首届德州仪器微电子领域女性领袖奖、英特尔研究院杰出执行和创新实践奖等。所在团队2008年获得Frost & Sullivan北美先进海量存储芯片方案技术创新奖,AlwaysOn 全球250入选杰出团队,以及美国英特尔公司加利福尼亚技术制造部门奖等一系列荣誉称号。在Advanced Materials, ACS Nano, Energy & Environmental Science等国际知名期刊上发表论文30余篇;微纳制造领域发明专利14项,其中5项为美国专利,3项国际专利;主编撰写“十二.五”重点出版物一部;在相关领域的国际学术会议作特邀报告及其他报告40余次。 中国硅酸盐学会薄膜与涂层分会理事、中国机械工程学会高级会员、中国真空学会高级会员、PM2.5污染治理示范工程研讨组成员,美国IEEE、MRS、APS、ACS、ECS学会会员;美国劳伦斯-伯克利国家实验室开放基金特邀专家评审组成员,曾担任英特尔风险投资部门纳米材料及新能源技术顾问及学术基金部门顾问;担任ACS Nano、Applied Physics Letters、Journal of Applied Physics等国际权威期刊审稿人;担任美国NSF和中国NSFC基金评委、国家科学技术奖评委、国际科技合作专家等。

二、主要研究方向

微纳制造、纳米材料生长工艺及设备开发,薄膜制备工艺及应用;原子层沉积技术、微电子和新能源领域的纳米器件开发。
将实验和理论相结合,研究纳米薄膜生长工艺及设备开发,用来解决未来电子和能源工业所即刻面临的挑战。研究的重点在于控制纳米材料的生长、结构、及其性能,用于制造和表征具有精确的物质组成、以及原子尺度上可控的纳米结构,将其整合成纳米器件,并开发相关高精度生长设备。

三、近年的科研项目、专著与论文、专利、获奖

2013-2017 “高效金属-氧化物复合催化剂的理性设计与性能调控”, 973国家重大科学研究计划青年科学家专题项目
2012-2014 “利用原子层沉积法实现可控组份、大小的纳米催化颗粒生长”,国家自然科学基金资助项目
2012-2013 “常压原子层沉积系统设计与机理研究”,华中科技大学自主创新研究基金- 前沿探索基金项目
2011-2013 “利用原子层沉积生长纳米颗粒的理论与实验研究”,数字制造装备与技术国家重点实验室自主课题
2009-2013 “纳米材料超级电容器研究”,英特尔研究院
2007-2009 “微机电系统为基础的超大密度非易失性数据存储器”,英特尔-Nanochip联合开发团队
2005-2008 “无机混合太阳能材料的原子层沉积技术”,斯坦福大学全球气候与能源(GCEP)项目
2004-2007 “运用原子层沉积技术制造固态氧气燃料电池的催化层”,本田公司
2003-2006 “具有区域选择性的原子层沉积技术在高介电常数场效应管中的应用”,美国国家自然科学基金和半导体研究协会(NSF-SRC)

部分代表作
1. Chen Zhou, Xiao Liu, Chunzheng Wu, Yanwei Wen, Yejian Xue, Rong Chen, Zhaoliang Zhang, Bin Shan, Hongfeng Yin, Wei Guo Wanga “NO Oxidation Catalysis on Copper Doped Hexagonal Phase LaCoO3: A Combined Experimental and Theoretical Study” Phys. Chem. Chem. Phys., 2014, 16, 5106.
2. Qingbo Wang, Yanwei Wen, Rong Chen, Bin Shan, “A hybrid functional study of the electronic and optical properties of tetragonal PbO-type phase of ZnO under pressure”, J. Alloys Compd. 2013, 10, 127.
3. Stephanie L. Candelaria, Rong Chen, Yoon-Ha Jeong, Guozhong Cao, “Highly porous chemically modified carbon cryogels and their coherent nanocomposites for energy applications”, Energy Environ. Sci. 2012, 5, 5619.
4. Rong Chen, Zhengzheng Chen, Bo Ma, Xiaohong Hao, Neeti Kapur, Jangsuk Hyun, Kyeongjae. Cho, Bin Shan, “CO adsorption on Pt(111) and Pd(111) surfaces: a first-principles based lattice gas Monte-Carlo study”, Comp. Theo. Chem. 2012, 987, 77.
5. Zhengzheng Chen, Bin Shan, Rong Chen, “Electronic origin of the phase transition in ternary alloy Mo(Si1?x,Alx)2”, Appl. Phys. Lett. 2011, 98, 101903.
6. Noureddine Tayebi, Yuegang Zhang, Robert J. Chen, Quan Tran, Rong Chen, Yoshio Nishi, Qing Ma, Valluri Rao, “An ultraclean tip-wear reduction scheme for ultrahigh density scanning probe-based data storage”, ACS Nano 2010, 4 (10), 5713.
7. Rong Chen, Stacey F. Bent, “Chemistry for positive pattern transfer by area-selective atomic layer deposition” Adv. Mater. 2006, 18, 1086.
8. Rong Chen, Stacey F. Bent, “Highly stable monolayer resists for atomic layer deposition on germanium and silicon” Chem. Mater.2006, 18, 3733.
9. Rong Chen, Hyoungsub Kim, Paul C. McIntyre, David W. Porter, Stacey F. Bent, “Achieving area-selective atomic layer deposition on patterned substrates by selective surface modification” Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 191910.
10. Rong Chen, Hyoungsub Kim, Paul C. McIntyre, Stacey F. Bent, “Investigation of self-assembled monolayers as deactivating agents for atomic layer deposition of HfO2 high-k gate dielectric” Chem. Mater. 2005, 17, 536.
11. Rong Chen, Hyoungsub Kim, Paul C. McIntyre, Stacey F. Bent, “Self-assembled monolayer resist for atomic layer deposition of HfO2 and ZrO2 high-k gate dielectrics” Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 4017.

四、对考生的基本要求

欢迎有志于从事博士后研究的学者加盟!
欢迎肯动脑筋、学习能力强、有责任心的同学报考并加入纳米制造及薄膜技术研究组。读硕士和博士学位的考生应具有扎实的基础、学习能力强、英文说写熟练、对微纳制造相关工艺及设备有浓厚兴趣。欢迎机械制造、机械电子等专业的同学报考,也特别欢迎具有材料、电子、化学、物理及工程等交叉背景的同学报考。希望在这个严谨认真、多学科交叉的集体里,度过充实而有意义的科研学习时光。

 

联系方式

E-mail:rongchen@mail.hust.edu.cn