2026年10月28日至30日，第二届亚太原子层沉积大会（Asia-Pacific Atomic Layer Deposition, AP-ALD Conference）在韩国济州岛隆重举行。本届会议议题涵盖ALD基础理论、前驱体设计、工艺装备，以及先进微纳加工工艺在半导体、光电器件、能源存储、催化、传感器等方向的前沿成果。
微纳中心陈蓉教授、曹坤教授、杨帆副教授、刘潇副教授及博士研究生向俊任、王威振、宋吉升、李博轩、冯玉群共9位成员参会并作报告。陈蓉教授应邀作大会报告，报告题为“Additive Atomic Manufacturing: Understanding Where and How Atoms Grow”，介绍了团队在区域选择性原子层沉积调控方面的研究思路与进展。曹坤教授、杨帆副教授和刘潇副教授分别围绕多元介电氧化物薄膜的区域选择性沉积、空间隔离原子层沉积以及原子层沉积构筑高稳定铂基催化剂作会议报告。博士研究生向俊任、王威振、宋吉升、李博轩、冯玉群分别就各自研究方向作会议报告。会议期间，微纳中心博士研究生李博轩获青年科学家奖（Young Scientist Award）。
为期三天的会议通过大会报告、专题演讲、口头报告和海报展示等形式，促进ALD技术前沿应用与跨学科合作。来自学术界和工业界的专家围绕ALD技术最新进展与未来发展进行了深入交流，有助于推动技术创新，并加强跨学科、跨国界合作，为ALD技术从基础研究向大规模应用转化奠定基础。此次参会将进一步促进我中心与国际同行的交流合作，并推动相关研究在微电子、能源等领域的交叉应用。
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