10月19日，韩国汉阳大学Jin-Seong Park教授应陈蓉教授邀请来访微纳材料设计与制造研究中心，参加机械工程青年STAR学术论坛，相关研究方向师生参加了此次交流活动。
本次报告题为“Atomic-Scale Engineering by ALD: From Display Encapsulation to 3D Oxide Semiconductor Channels”。Park教授以原子层沉积（atomic layer deposition，ALD）的自限制表面反应为切入点，梳理了ALD技术在显示领域的应用演进，涵盖有机发光二极管（OLED）薄膜封装、显示背板栅介质以及氧化物半导体沟道材料等方向，介绍了其在低温制备、复杂结构共形覆盖以及薄膜厚度与组分精确调控方面的技术特点。
围绕从平面显示器件向三维半导体架构延伸的研究需求，Park教授进一步介绍了铟、镓、锌、锡基氧化物半导体的原子尺度制备与调控思路，重点讨论了ALD超循环工艺、缺陷及界面调控，以及选择性表面修饰与原子层蚀刻（atomic layer etching，ALE）在氧化物半导体沟道构筑中的作用，并展望了相关技术在新型三维集成器件中的应用前景。Park教授还参观了我院，双方围绕原子层沉积工艺、薄膜制备装备及氧化物半导体器件集成等问题进行了深入交流，并且就相关研究中的工艺控制与界面调控问题交换了意见。
此次学术交流增进了双方在原子层沉积、氧化物半导体及先进微纳制造等方向的相互了解，为后续学术交流与科研合作提供了契机。
专家简介
Jin-Seong Park，韩国汉阳大学材料科学与工程学部、纳米尺度半导体工程系教授，兼任该校工学院副院长及智能半导体研究院副主任。曾在美国哈佛大学从事博士后研究，具有三星相关企业氧化物半导体研发经历。主要研究方向包括原子层沉积、氧化物半导体薄膜晶体管、区域选择性原子层沉积与原子层蚀刻等。2026年获美国真空学会原子层沉积创新奖（AVS ALD Innovator Award）。
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