微纳材料设计与制造研究中心

原子层刻蚀能够以单层原子精度去除表面材料，实现低粗糙度表面的精准构筑，是集成电路、量子器件中加工三维微纳结构的重要手段。原子层刻蚀由一系列相互交替的“钝化-刻蚀”循环构成。钝化过程会在材料表面形成钝化层，而刻蚀过程会将钝化层连同与之相连的一层被刻蚀材料的原子一并去除。由于“钝化-刻蚀”循环存在自限制性...

为积极响应新时代教育改革要求，推进高中到大学教育的有机衔接，北京四中推出“ 大中衔接课程”，旨在为具有学科兴趣与探索潜力的高中学子提前开启大学式的思维训练、研究探索与学科拓展，帮助学生拓宽学术视野、明确专业方向、培养创新意识和跨学科能力。 10月30日，微纳中心高远教授走进北京四中大中课程线下课堂，...

在高精度半导体制造中，区域选择性原子层沉积（AS-ALD）是一项关键工艺。自组装单分子层（SAMs）作为表面抑制涂层，在提升沉积选择性方面展现出巨大潜力。大多数情况下，SAMs都能很好地“拦住”前驱体分子，但对于一些体积极小、反应活性高的前驱体（如三甲基铝 TMA），SAMs却常常无力阻挡。理解前驱体与SAMs之间的相互作...

2025年8月12日上午，微纳材料设计与制造研究中心陈蓉教授和刘潇副教授指导的博士研究生李嘉伟在华中科技大学先进制造大楼东楼B214会议室进行毕业答辩。 经过答辩委员会评议，李嘉伟同学达到了博士生毕业要求和水平，顺利通过博士答辩，并建议授予工学博士学位。祝贺李嘉伟同学顺利毕业，希望他在以后的工作中一帆...

2025年6月22日-25日，国际原子层沉积与原子层刻蚀大会（ALD/ALE 2025）在韩国济州岛国际会展中心成功举办。本届大会由美国真空学会（AVS）和韩国材料研究学会联合主办，是原子层沉积（ALD）、原子层刻蚀（ALE）以及选择性沉积（ASD）领域最具国际影响力的年度会议之一，聚焦先进微纳加工工艺在半导体、能源器件、功能薄...

纳米级功能薄膜是太阳能电池、发光二极管（LED）和柔性显示器等现代高性能设备的核心组成部分。原子层沉积（ALD）技术凭借其自限制生长特性而闻名于世。然而，传统ALD中的净化步骤常常耗时较长，沉积速率因此受到限制。空间原子层沉积（SALD）通过物理分离前驱体区域并结合衬底的精确移动，实现了比传统ALD快两个数量级...

单原子催化剂（Single-Atom Catalysts, SACs）因其“以一当百”的高效反应能力，近年来在催化领域广受关注。不过，在一些需要多个金属原子协同作用的复杂化学反应中，单个原子“独木难支”的问题逐渐显现。正如韩国科学院Hyunjoo Lee教授指出：“许多关键的化学反应，如较大碳链烃类的氧化、裂解等，都需要金属原子之间的协...

2025年4月30日上午，微纳材料设计与制造研究中心陈蓉教授指导的硕士研究生张天威、袁睿鸽、李旺和田淞，曹坤教授指导的硕士研究生洪子晗和叶容利以及刘潇副教授指导的硕士研究生胡志佳和苏宇，分别在华中科技大学先进制造大楼西楼A310、C412和A507会议室进行了学位答辩。 经过答辩委员会评议，以上同学均达到了硕...

半导体器件不断朝着小型化、高度集成化的方向发展，功率密度逐年攀升（图1a）[1]，但显著的焦耳热开始威胁到器件的性能（如载流子迁移率等性质）、寿命、和稳定性。比如，二维材料器件的迁移率随温度以幂关系迅速下降[2]。器件结温每上升10度，器件寿命下降50%（图1b）[3]。据统计，55%的器件失效都是由于热问题[4]。功...

2025年4月25日上午，微纳材料设计与制造研究中心单斌教授指导的硕士研究生李豪杰、高宇欣和马更，杜纯副教授指导的硕士研究生谢丽红以及李冬冬副教授指导的硕士研究生周惠龙，在华中科技大学先进制造大楼西楼A409会议室进行答辩。 经过答辩委员会评议，以上同学均达到了硕士毕业要求和水平，顺利通过硕士答辩...