2026年9月17日至19日，2026半导体生态发展大会暨上海院士专家创新大会在上海科技大学会议中心召开。大会由中国科学院上海分院、上海市浦东新区人民政府、中国生产力促进中心协会指导，上海市浦东新区科学技术协会、上海市浦东新区康桥镇人民政府、国家集成电路创新中心主办，上海浦东院士活动中心、复旦大学光电研究院、上海交通大学集成电路学院等单位承办。本届大会以“AI驱动 新质创芯”为主题，以“科技创新策源与产业链深度融合”为主线，聚焦集成电路设计、半导体材料、制造设备与零部件、量检测设备以及AI与半导体应用等核心领域，围绕“国家战略机遇分享、院士专家科创交流、市场技术有效对接、创新成果展示发布、高层人才招聘双选”搭建五位一体的科创策源与产业链融合平台。
微纳材料设计与制造中心陈蓉教授受邀参加本次大会，中心博士后刘璋在“原子级制造与设备”专场作了题为《集成电路制造工艺中的原子层沉积技术研究》的分会报告。报告从人工智能与科学计算对高算力芯片的需求出发，指出当前制造工艺的精度要求已被推到原子尺度，而互连环节正面临栅极不再等比缩小、互连间距却持续收缩的矛盾，进而提出更换金属材料与提升套刻精度两条技术主线。围绕这两条主线，报告介绍了团队金属原子层沉积与选择性原子层沉积两个研究方向上的系统布局，以及在本征选择性沉积、抑制剂辅助选择性沉积以及晶圆级装备等方面取得了研究进展，并展望原子层沉积将从一项芯片工艺发展为一种通用的原子级制造方法。报告后，刘璋就多次短脉冲工艺、耐高温抑制剂稳定性、barrierless集成、跨尺度仿真等问题，与参会同行进行了交流讨论。
本次参会一方面向国内集成电路学术界与产业界介绍了中心在原子层沉积与原子级制造方向的阶段性成果，另一方面也加深了对先进制程、三维集成、新金属互连等方向产业需求的理解，为后续研究工作提供了新的启发与思路。
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