为进一步加强华中科技大学与韩国成均馆大学在原子层沉积、原子层刻蚀及先进功能材料等领域的学术交流与科研合作，近日，韩国成均馆大学Chae教授受邀来到我研究中心参观访问，并与中心师生开展学术交流。Chae教授长期从事原子层刻蚀研究，在等离子体原子层刻蚀工艺开发与机制研究方面具有丰富经验，围绕二氧化硅、氮化硅及多种金属和半导体材料开展了系统研究，在表面改性与离子辅助去除、刻蚀工艺窗口调控以及低温室效应刻蚀气体开发等方面取得了一系列研究成果。
双方围绕原子层沉积、原子层刻蚀等研究方向开展了深入的学术交流。微纳研究中心介绍了近年来在原子层刻蚀方面的研究进展，Chae教授结合自身研究经验，就相关研究内容和后续发展方向提出了具有针对性的建议；Chae教授则分享了其团队在等离子体原子层刻蚀及热原子层刻蚀方面的最新研究工作。双方针对相关研究中的关键科学问题、技术难点及潜在合作方向进行了充分讨论，并就进一步加强科研合作与人员交流交换了意见。
在陈蓉教授、杨帆副教授等人的陪同下，Chae教授参观了研究中心实验室情况，详细了解了设备的结构设计、功能配置、工艺实现及应用情况。参观过程中，双方围绕原子层沉积与原子层刻蚀设备的设计思路、工艺调控以及未来应用方向进行了深入交流。Chae教授对研究中心在设备自主研发、实验平台建设及相关研究工作方面取得的进展给予了积极评价。此次Chae教授的来访进一步增进了韩国成均馆大学与华中科技大学之间的学术交流与相互了解，为双方在原子层沉积、原子层刻蚀等领域开展更加深入的合作研究奠定了良好基础。
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