陈蓉教授率团队参加2018年度原子层沉积国际会议

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2018-08-08 08:08:03 作者: 所属分类:学术动态 阅读: 4,794 views

2018年7月29日至2018年8月1日,由美国真空协会举办的“AVS 18th International Conference on Atomic Layer Deposition (ALD 2018)” (2018年度原子层沉积国际会议)于韩国仁川召开。原子层沉积国际会议是该领域最具历史和国际影响力的盛会, 本次原子层沉积国际会议设立了ALD Fundamentals, Nanostructures Synthesis and Fabrication, Emerging Materials, ALD Applications四个主题,介绍当前的领域研究前沿,对原子层沉积的发展计划进行了思考和展望,大会致力于原子层薄膜控制沉积的科学技术难题和现有原子层刻蚀的相关话题,并有相应的国际知名厂商参与会展。会议参会人员包括Prof. Steven M. George, 孙学良院士等1000余位专家学者。

陈蓉教授作为本次大会组委会委员,受邀主持Area Selective Deposition I分会场会议。同时也是本次会议的特邀报告人,进行了题为“Strategies for area selective atomic layer deposition and applications in catalysis”的报告,介绍了课题组在选择性原子层沉积方法的研究以及在催化剂上的应用,该报告得到了与会专家学者的高度评价和广泛兴趣。

课题组曹坤讲师进行了题为”Nano-laminates Encapsulation Films Fabricated via Spatial Atomic Layer Deposition for High Stable Flexible OLED Electronics”的报告,介绍了本课题组在基于空间隔离原子层沉积方法的柔性显示封装方面的研究进展。另外,课题组的四位博士研究生,包括稂耘,周彬泽,唐元亭,李嘉伟也分别在大会上进行了口头汇报,汇报内容包括晶面选择性原子层沉积方法;基于原子层沉积方法的量子点修饰与改性;金纳米颗粒催化剂限域稳定化方法;铂原子团簇型催化剂的制备与应用等方面。大会上的口头报告引起国际同行的广泛关注,也是对博士生的最大锻炼。