微纳材料设计与制造研究中心

2023年8月20-22日，首届中国真空技术与半导体应用大会暨半导体真空设备与零部件高端论坛在上海张江科学会堂举办。本次大会以“大会报告+分会报告+展览+墙报+晚宴交流”的形式召开，90个口头报告专家及30余个墙报，分别来自于半导体及真空技术领域知名科研院校、半导体制造企业、半导体真空设备及零部件企业。大会的宗旨是讨论科技前沿、推进产学研。

微纳材料设计与制造中心硕士研究生陈元肖和张天威进行了海报展示，在交流环节积极与同行老师与学生互动，介绍工作亮点。陈元肖同学以《高深宽体比纳米结构原子层沉积多尺度数值模拟》为题展示了一种高效的多尺度计算流体动力学（CFD）模型，用于精确研究高深宽比三维纳米结构中的ALD工艺。高深宽比纳米结构中前驱体传质和表面微反应动力学的连续体模型与反应器尺度的CFD模型相耦合。捕获了前驱体在高深宽比纳米结构中的动态分布，并分析了表面沉积与前驱体传质的竞争。对包括脉冲、保压和吹扫在内的ALD工艺参数进行了研究，并结合实验进行了验证，获得了本届大会的“优秀海报奖”。

张天威同学以《基于ALD表面修饰量子点光电探测器阵列制备研究》为题展示了工作成果。ALD对量子点间隙填充上能实现均匀覆盖，并通过在量子点薄膜表面形成一层氧化膜从而隔绝水氧，提高时间稳定性。成功提高了器件光暗电流比、响应度，探测率等指标，相比同类型器件具有制备工艺便捷稳定，可精准调控的优点，展示了原子层沉积技术在对量子点材料改性上的独特优势。并由光刻剥离工艺制备阵列化电极，结合阵列信号检测与采集系统设计，验证了其在成像上的可行性。

两位同学表示，通过参加本次大会，丰富、拓宽了自己的学术视野，了解到了真空技术与半导体应用的最新成果和前沿热点。另外很多企业参加本次大会、了解到了企业及行业的真实需求，实现了产学研的深入交流，极大地启发了接下来的科研工作。