微纳中心陈蓉教授受邀赴武汉新芯做专题报告

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2021-11-10 09:11:58 作者: 所属分类:学术动态, 教师, 科研亮点 阅读: 472 views

2021年11月4日,微纳中心陈蓉教授受武汉新芯集成电路制造有限公司邀请,做了题为《Advances in Atomic Layer Deposition》的专题报告。陈蓉教授就原子层沉积(ALD)技术在半导体、泛半导体和新兴领域的最新发展及应用做了深入浅出的演讲。武汉新芯厂长谢肇昌、副厂长王科,研发中心负责人周俊、占琼,先进设备工程部负责人龙俊舟列席会议,微纳中心曹坤副教授和部分师生参加会议,报告吸引了百余名武汉新芯员工参与。

报告结束后,相关人员就ALD技术在半导体领域面临的一些机遇与挑战深入交换了意见。与会嘉宾一致认为ALD技术在以先进制程为首的纳米制造领域大有可为,新兴的区域选择性ALD技术、空间隔离ALD技术、粉体ALD技术在不同领域也显示了巨大的优势。难点在于成套工艺-装备的开发和大批量制造瓶颈。微纳中心的研究生表示,在参观和交流的过程中开阔了眼界,对半导体工业界有了更加深入的了解,对所从事的科研工作理解更加深刻,对未来的职业规划也有了更加清晰的认识。

会议最后,武汉新芯厂长谢肇昌为陈蓉教授颁发感谢函,表示希望能加强校企合作,共同推动相关技术在半导体领域的快速发展。