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2020年4月24日早8点30点,美国材料学会就旗下杂志Journal of Materials Research杂志原子层沉积(ALD)专刊《Atomic layer deposition for emerging thin-film materials and applications》开展全球在线专题讨论,陈蓉教授受邀进行了题为《Encapsulation of organic and nanocrystal LEDs via atomic layer deposition》的报告。
报告内容围绕着其所发表的封面论文展开,深入讨论了ALD技术在发光二极管显示跨尺度稳定化方面的研究进展。具体包括:在纳米尺度上,利用原子层沉积技术实现量子点表面缺陷位点的选择性钝化,进而实现其热稳定性、极性溶剂耐受性等;在像素尺度上,通过ALD技术实现量子点发光层的填充,显著改善其面内载流子输运效率,器件发光性能和稳定性也得到了显著提升;在宏观尺度上,通过将ALD技术与蒸镀、旋涂等工艺耦合开发的无机-有机复合封装结构具备优异的导热性能、柔性和阻隔能力,且极端环境耐受性显著提升。最后,陈蓉教授对现有ALD工艺和装备的发展进行了总结和展望。
报告结束后,陈蓉教授耐心解答了与会人员在前驱体选择、力学表征以及量子点器件等相关领域的问题,并与其进行了深入的技术交流,受到参会者们的一致好评。本次会议旨在原子层沉积技术在新兴领域应用的专业互动,为与会代表提供了一次宝贵的线上交流和学习机会。