韩国成均馆大学Heeyeop Chae教授来访交流

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2019-11-12 12:11:13 作者: 所属分类:学术动态 阅读:134

适逢“第五届华中科技大学与成均馆大学双边研究生研讨会暨学术年会”召开之际,Chae教授作为韩方代表被邀请在大会上做题为“Improvement of Efficiency and Stability of Quantum Dot Photoluminescence and Electroluminescence”的报告,会议期间Chae教授积极与我研究中心沟通,并提出参观和交流。Chae教授作为韩国原子层刻蚀的领军人物,在离子体原子层沉积与化学气相沉积设备研发和工艺探索方面颇有建树,并将这些技术应用于量子点领域,结合表面配体工程,实现了量子点表面高效的功能化和稳定化,在Advanced Materials等国际著名期刊上发表一系列论文。

11月6日下午,在陈蓉教授、文艳伟副教授等人的陪同下,Chae教授参观了我中心自制原子层沉积设备及应用试样,并就设备的设计、功能、改造和应用模式进行了深入地交流。Chae教授高度评价了研究中心的设备配置和布局规划,就中心的发展方向和取得的成就给予了充分的肯定。随后,双方进行了深入细致的学术交流。陈蓉教授简单介绍了在选择性原子层沉积催化剂结构设计、量子点原子层沉积稳定化处理以及柔性显示大面积空间原子层沉积封装等方面的工作进展;Chae教授介绍了其在原子层沉积、原子层刻蚀以及量子点表面配体稳定化方面的工作,双方就相关科学问题展开了深入而热烈的讨论。最后,陈蓉教授作为第五届国际原子层沉积应用会议暨第一届亚洲原子层沉积会议(2020,武汉)执行主席,向Chae教授发出了诚挚的邀请,双方对明年的相聚和交流充满期待。

Chae教授的这次实地参观与讨论,促进了韩国成均馆大学与华中科技大学的深入交流,并对后续合作研究打下了良好的基础。