陈蓉教授应邀赴比利时微电子中心IMEC 参加第四届选择性沉积(ASD 2019)研讨会

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2019-04-25 09:04:49 作者: 所属分类:学术动态, 未分类 阅读:239

2019年4月4日至4月5日,第四届选择性沉积研讨会Area Selective Deposition (ASD) Workshop 2019在比利时鲁汶市(Leuven, Belgium)微电子研究中心IMECInteruniversity Microelectronics Centre)举行,这次会议由IMECASM联合举办。

IMEC成立于1984年,总部设在比利时鲁汶市,其研究方向主要集中在微电子、纳米技术、辅助设计方法、以及信息通讯系统技术(ICT)、IMEC 致力于集成信息通讯系统设计、硅加工工艺、硅制程技术和元件整合等。

作为全球微电子制造在技术节点走在最前沿,且纳米电子和数字技术领域世界领先的研发创新中心, IMEC通过精密光刻技术不断缩短芯片上电路与电路之间的距离,提高通信效率和运算速度,目前已经生产出3纳米的芯片,迄今为止是世界最高水平。2018年10月,李克强总理在比利时出席亚欧首脑会议间隙,在比利时副首相兼经济大臣皮特斯陪同下,专门抽出时间,从首都布鲁塞尔来到鲁汶市,参观考察IMEC,并详细了解高精度纳米芯片的投产时限、能效和在民生领域应用等情况。

IMEC举办的选择性ALD2019研讨会上,陈蓉教授应邀进行了题为“Bimetallic nanocomposite catalysts fabricated by area selective atomic layer deposition and applications的大会报告,介绍了利用课题组开发的基于区域选择性原子层沉积的双金属纳米复合催化剂的纳米结构可控制备方面的最新进展——利用基底吸附能与前驱体键合能作为共同内禀驱动力,提升纳米颗粒晶面与原子台阶位的定位沉积精度,应用于提升催化剂反应活性位点精细调控与性能。发展的选择性原子层沉积技术有望适用于微电子制造自对准薄膜生长,提升定位精度,简化制程。陈蓉教授的报告得到了与会专家学者的广泛关注和兴趣,引起了热烈的讨论。国际ALD Academy两位创始人之一、荷兰埃因霍芬理工大学纳米制造中心主任、ASML高级顾问Kessels教授认为相关工作“提供了纳米尺度调控新方法,首次展示了独特的选择性原子层沉积法在自下而上纳米制造中原子级的可控精度”。

陈蓉教授赴荷兰出席ASD2019大会并作邀请报告