微纳材料设计与制造研究中心

2018年8月15日，应TCL集团股份有限公司的邀请，华中科技大学陈蓉教授、单斌教授、文艳伟副教授等人参观TCL量子点实验室，并做了题为 “量子点显示器件稳定化研究”和“量子点－配体相互作用的理论研究”的学术报告，报告由曹坤老师主持。
课题组成员一起参观学习了TCL量子点化学合成实验室和器件制备的千级超净间，学习了他们先进的管理经验。在随后的学术报告中，文艳伟副教授报告中提出了配体的筛选和设计来对提高量子点的稳定性和改善光学属性的影响，着重介绍了量子点表面模型，该模型更接近量子点的真实结构，通过分析不同配体在量子点的吸附构型和电子结构，预测实验中常用的－COOH、－NH2、－SH等基团的稳定性，用来指导配体的设计筛选。曹坤从量子点器件稳定性关键问题出发，重点介绍了原子性沉积技术在量子点方面的应用。该技术可以应用在量子点单体的表面修饰和量子点薄膜上的介质填充，经ALD技术处理之后钙钛矿量子点薄膜能够耐受极性溶剂的侵蚀，维持表面形貌结构和性能，提高载流子迁移率，降低器件起始电压。ALD技术在量子点领域的应用前景得到了TCL研究人员的高度认可。会后，陈蓉教授、单斌教授和文艳伟副教授进行了深入的交流，双方达成了长期合作的框架协议，并认真讨论了下一阶段的合作细节。